咨询/建议
电容：47 µF，容差：±20%，电压 - 额定：10 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：35 毫欧 @ 100kHz
电容：330 µF，容差：±20%，电压 - 额定：6.3 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：500 毫欧
电容：22 µF，容差：±10%，电压 - 额定：25 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：800 毫欧
电容：33 µF，容差：±10%，电压 - 额定：25 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：900 毫欧
电容：1 µF，容差：±20%，电压 - 额定：50 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：6.6 欧姆
电容：680 µF，容差：±10%，电压 - 额定：6.3 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：500 毫欧
电容：22 µF，容差：±10%，电压 - 额定：6.3 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：4 欧姆
容值：10uF，精度：±10%，额定电压：25V，等效串联电阻(ESR)：1.5Ω@100kHz
容值：100uF，精度：±20%，额定电压：10V，等效串联电阻(ESR)：1.4Ω@100kHz
容值：10uF，精度：±10%，额定电压：35V，等效串联电阻(ESR)：1Ω@100kHz
电容：22 µF，容差：±10%，电压 - 额定：35 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：500 毫欧
电容：10 µF，容差：±20%，电压 - 额定：16 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：7 欧姆
容值：2.2uF，精度：±10%，额定电压：16V，漏电流：500nA@25°C,5min
电容：10 µF，容差：±20%，电压 - 额定：10 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：6 欧姆
电容：10 µF，容差：±10%，电压 - 额定：16 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：1.7 欧姆
容值：100uF，精度：±10%，额定电压：6.3V，等效串联电阻(ESR)：2Ω@100kHz
电容：1 µF，容差：±20%，电压 - 额定：35 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：500 毫欧 @ 100kHz
电容：22 µF，容差：±10%，电压 - 额定：20 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：400 毫欧
电容：470 µF，容差：±10%，电压 - 额定：6.3 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：400 毫欧
电容：22 µF，容差：±10%，电压 - 额定：16 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：1.9 欧姆
电容：220 µF，容差：±20%，电压 - 额定：4 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：1.1 欧姆
容值：10uF，精度：±10%，额定电压：25V，等效串联电阻(ESR)：3Ω@100kHz
电容：15 µF，容差：±20%，电压 - 额定：25 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：100 毫欧 @ 100kHz
电容：330 µF，容差：±10%，电压 - 额定：6.3 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：500 毫欧
电容：330 µF，容差：±20%，电压 - 额定：2.5 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：9 毫欧 @ 100kHz
电容：330 µF，容差：±10%，电压 - 额定：10 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：500 毫欧
电容：100 µF，容差：±20%，电压 - 额定：16 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：50 毫欧 @ 100kHz
容值：4.7uF，精度：±10%，额定电压：16V，等效串联电阻(ESR)：4Ω@100kHz
电容：10 µF，容差：±10%，电压 - 额定：25 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：1.5 欧姆
容值：47uF，精度：±10%，额定电压：10V，等效串联电阻(ESR)：650mΩ@100kHz
电容：4.7 µF，容差：±10%，电压 - 额定：35 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：2.2 欧姆
容值：10uF，精度：±20%，额定电压：35V，等效串联电阻(ESR)：1.6Ω@100kHz
电容：100 µF，容差：±20%，电压 - 额定：6.3 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：35 毫欧 @ 100kHz
电容：10 µF，容差：±10%，电压 - 额定：50 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：550 毫欧
容值：2.2uF，精度：±10%，额定电压：16V，工作温度：-55℃~+125℃
电容：10 µF，容差：±10%，电压 - 额定：6.3 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：4 欧姆
电容：220 µF，容差：±20%，电压 - 额定：6 V，类型：模制，工作温度：-55°C ~ 125°C
容值：10uF，精度：±20%，额定电压：25V，等效串联电阻(ESR)：2Ω@100kHz
电容：47 µF，容差：±10%，电压 - 额定：10 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：350 毫欧
电容：220 µF，容差：±20%，电压 - 额定：10 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：40 毫欧 @ 100kHz
电容：470 µF，容差：±20%，电压 - 额定：6.3 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：10 毫欧 @ 100kHz
电容：220 µF，容差：±10%，电压 - 额定：16 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：100 毫欧
容值：22uF，精度：±10%，额定电压：6.3V，等效串联电阻(ESR)：2.5Ω@100kHz
容值：10uF，精度：±20%，额定电压：25V，等效串联电阻(ESR)：6Ω@100kHz
电容：10 µF，容差：±10%，电压 - 额定：10 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：3 欧姆
电容：2.2 µF，容差：±10%，电压 - 额定：10 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：6.3 欧姆