咨询/建议
电容：4.7 µF，容差：±10%，电压 - 额定：25 V，类型：模制，工作温度：-55°C ~ 125°C
电容：10 µF，容差：±20%，电压 - 额定：16 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：3 欧姆
电容：100 µF，容差：±10%，电压 - 额定：16 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：100 毫欧
电容：100 µF，容差：±10%，电压 - 额定：16 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：100 毫欧
电容：680 µF，容差：±20%，电压 - 额定：2.5 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：6 毫欧 @ 100kHz
电容：22 µF，容差：±10%，电压 - 额定：10 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：2.5 欧姆
电容：2.2 µF，容差：±10%，电压 - 额定：25 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：3.8 欧姆
电容：100 µF，容差：±10%，电压 - 额定：10 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：900 毫欧
电容：1 µF，容差：±20%，电压 - 额定：25 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：10 欧姆
电容：2.2 µF，容差：±10%，电压 - 额定：10 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：1.8 欧姆
电容：470 µF，容差：±20%，电压 - 额定：2.5 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：9 毫欧 @ 100kHz
电容：47 µF，容差：±20%，电压 - 额定：20 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：55 毫欧 @ 100kHz
电容：1 µF，容差：±10%，电压 - 额定：50 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：6 欧姆
电容：22 µF，容差：±20%，电压 - 额定：25 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：60 毫欧 @ 100kHz
电容：470 µF，容差：±10%，电压 - 额定：10 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：100 毫欧
容值：1uF，精度：±10%，额定电压：25V，等效串联电阻(ESR)：8Ω@100kHz
容值：22uF，精度：±20%，额定电压：10V，等效串联电阻(ESR)：2.5Ω@100kHz
容值：2.2uF，精度：±10%，额定电压：35V，等效串联电阻(ESR)：6Ω@100kHz
容值：1uF，精度：±20%，额定电压：16V，等效串联电阻(ESR)：11Ω
电容：33 µF，容差：±10%，电压 - 额定：10 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：1.8 欧姆
电容：10 µF，容差：±20%，电压 - 额定：25 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：1.5 欧姆
电容：33 µF，容差：±10%，电压 - 额定：16 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：2.1 欧姆
容值：47uF，精度：±10%，额定电压：10V，等效串联电阻(ESR)：4Ω@100kHz
电容：22 µF，容差：±10%，电压 - 额定：10 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：3 欧姆 @ 100kHz
电容：22 µF，容差：±20%，电压 - 额定：6.3 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：90 毫欧 @ 100kHz
电容：10 µF，容差：±20%，电压 - 额定：20 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：150 毫欧 @ 100kHz
电容：47 µF，容差：±10%，电压 - 额定：25 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：700 毫欧
电容：1 µF，容差：±10%，电压 - 额定：50 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：5.5 欧姆
电容：220 µF，容差：±20%，电压 - 额定：6.3 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：45 毫欧 @ 100kHz
容值：6.8uF，精度：±10%，额定电压：16V，等效串联电阻(ESR)：3.5Ω@100kHz
容值：220nF，精度：±10%，额定电压：35V，漏电流：500nA@25°C,5min
容值：22uF，精度：±20%，额定电压：10V，等效串联电阻(ESR)：10Ω@100kHz
容值：10uF，精度：±20%，额定电压：25V，等效串联电阻(ESR)：2.5Ω@100kHz
容值：1uF，精度：±10%，额定电压：16V，工作温度：-55℃~+125℃
电容：2.2 µF，容差：±10%，电压 - 额定：20 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：3.5 欧姆
电容：22 µF，容差：±10%，电压 - 额定：20 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：4 欧姆
电容：47 µF，容差：±20%，电压 - 额定：6.3 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：3.2 欧姆
电容：22 µF，容差：±20%，电压 - 额定：16 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：70 毫欧 @ 100kHz
电容：100 µF，容差：±20%，电压 - 额定：10 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：45 毫欧 @ 100kHz
电容：150 µF，容差：±20%，电压 - 额定：10 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：500 毫欧
电容：10 µF，容差：±10%，电压 - 额定：16 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：2.8 欧姆
电容：150 µF，容差：±20%，电压 - 额定：10 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：40 毫欧 @ 100kHz
电容：100 µF，容差：±20%，电压 - 额定：16 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：50 毫欧 @ 100kHz
电容：100 µF，容差：±10%，电压 - 额定：16 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：125 毫欧
电容：15 µF，容差：±10%，电压 - 额定：50 V，类型：模制，ESR（等效串联电阻）：600 毫欧
容值：2.2uF，精度：±10%，额定电压：25V，等效串联电阻(ESR)：7Ω@100kHz