BZX84B6V8LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0951
1,339
电压基准芯片
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V,容差:±2%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 4 V
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BZX84B6V8LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3

1+:¥0.0951

1339

18+
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BZX84B6V8LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.1475

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BZX84B6V8LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.149

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BZX84B6V8LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23-3

30+:¥0.193

10+:¥0.196

1+:¥0.202

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BZX84B6V8LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23-3

30+:¥0.9703

10+:¥1.1644

1+:¥1.7465

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 6.8 V
容差 ±2%
功率 - 最大值 225 mW
阻抗(最大值)(Zzt) 15 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 2 µA @ 4 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 900 mV @ 10 mA
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3