BSS64LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.1294
10,931
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):200mV @ 15mA,50mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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BSS64LT1G
onsemi
SOT-23-3

15000+:¥0.1294

12000+:¥0.1402

9000+:¥0.1509

6000+:¥0.1725

3000+:¥0.1941

1000+:¥0.2157

2000

1810
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BSS64LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.15288

1+:¥0.17264

3004

24+
1-2工作日发货
BSS64LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

600+:¥0.1729

200+:¥0.2023

20+:¥0.2551

2280

-
立即发货
BSS64LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23 (TO-236)

1000+:¥0.1823

100+:¥0.196

1+:¥0.2107

637

2329
现货最快4H发
BSS64LT1G
ON(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

3000+:¥0.2205

1500+:¥0.249

200+:¥0.2865

130+:¥0.3848

3005

-
3天-15天

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 80 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 200mV @ 15mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 20 @ 10mA,1V
功率 - 最大值 225 mW
频率 - 跃迁 60MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3