BSS63LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.146
44,576
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):100 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 2.5mA,25mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
BSS63LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.146

1+:¥0.165

4804

25+
立即发货
BSS63LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.14691

24000

25+
1-3工作日发货
BSS63LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.15184

1+:¥0.1716

4801

25+
1-2工作日发货
BSS63LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.1522

6000+:¥0.1644

3000+:¥0.173

800+:¥0.2422

100+:¥0.346

20+:¥0.5631

2955

-
BSS63LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23

1000+:¥0.1529

100+:¥0.1617

1+:¥0.1696

2620

2326
现货最快4H发

点击查看更多
价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 100 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 2.5mA,25mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 30 @ 25mA,1V
功率 - 最大值 225 mW
频率 - 跃迁 95MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3