BCX5610TA
DIODES(美台)
SOT-89
¥0.464
14,246
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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BCX5610TA
DIODES(美台)
SOT89

1000+:¥0.464

1+:¥0.513

2958

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BCX5610TA
Diodes(美台)
SOT-89

1000+:¥0.48256

1+:¥0.53352

2951

2年内
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BCX5610TA
美台(DIODES)
SOT-89-3

10000+:¥0.5104

2000+:¥0.551

1000+:¥0.58

500+:¥0.812

100+:¥1.16

10+:¥1.7981

2958

-
BCX5610TA
Diodes(达尔)
SOT-89-3

90+:¥0.5643

2958

-
3天-15天
BCX5610TA
DIODES(美台)
SOT-89

2000+:¥0.6524

1000+:¥0.7089

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50+:¥0.9374

5+:¥1.1747

2420

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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 1 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 80 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 63 @ 150mA,2V
功率 - 最大值 1 W
频率 - 跃迁 150MHz
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-243AA