BCW68GLT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.12048
63,890
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):800 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):45 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 30mA,300mA,电流 - 集电极截止(最大值):20nA
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BCW68GLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.121

1+:¥0.136

20647

24+
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BCW68GLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.12584

1+:¥0.14144

19040

24+
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BCW68GLT1G
ON(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

3000+:¥0.1815

1500+:¥0.204

220+:¥0.234

20647

-
3天-15天
BCW68GLT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.1846

300+:¥0.2068

100+:¥0.2363

10+:¥0.2954

3510

-
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BCW68GLT1G
ON(安森美)
SOT-23

2000+:¥0.0219

1000+:¥0.0228

500+:¥0.0242

100+:¥0.027

20+:¥0.0298

5+:¥0.0327

18

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 800 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 45 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 1.5V @ 30mA,300mA
电流 - 集电极截止(最大值) 20nA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 120 @ 10mA,1V
功率 - 最大值 225 mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3