BCW66GLT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.11544
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三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):800 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):45 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):700mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):20nA
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BCW66GLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.111

1+:¥0.125

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25+
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BCW66GLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.11544

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BCW66GLT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

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20+:¥0.4518

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BCW66GLT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23

1+:¥0.1274

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BCW66GLT1G
ON(安森美)
SOT-23

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230+:¥0.2175

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-
3天-15天

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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 800 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 45 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 700mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值) 20nA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 160 @ 100mA,1V
功率 - 最大值 300 mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3