BCW32LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.155
1,437
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):32 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 500µA,10mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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BCW32LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.155

1+:¥0.175

358

2年内
立即发货
BCW32LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.1612

1+:¥0.182

353

2年内
1-2工作日发货
BCW32LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.1705

6000+:¥0.1841

3000+:¥0.1938

800+:¥0.2713

200+:¥0.3876

10+:¥0.6308

358

-
BCW32LT1G
ON(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

200+:¥0.2613

130+:¥0.4056

358

-
3天-15天
BCW32LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.1612

1500+:¥0.182

200+:¥0.20904

1+:¥0.32448

508

--
1-3工作日
BCW32LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23

1+:¥0.1921

0

-
现货最快4H发
BCW32LT1G
ON(安森美)
SOT-23

1000+:¥0.2209

500+:¥0.2305

100+:¥0.2497

30+:¥0.2689

1+:¥0.2785

0

-
立即发货
BCW32LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

300+:¥0.2422

100+:¥0.2791

10+:¥0.353

10

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 32 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 200 @ 2mA,5V
功率 - 最大值 225 mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3