BCP69T1G
onsemi(安森美)
SOT-223
¥0.508959
60,174
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):20 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 100mA,1A,电流 - 集电极截止(最大值):10µA(ICBO)
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BCP69T1G
ON(安森美)
SOT-223

1000+:¥0.499

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BCP69T1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-223-4

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ON(安森美)
SOT-223

1000+:¥0.51896

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BCP69T1G
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SOT-223

90+:¥0.6083

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SOT-223

1000+:¥0.9563

400+:¥1.0822

200+:¥1.0932

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5+:¥1.459

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BCP69T1G
onsemi(安森美)
SOT-223

1000+:¥1.0066

150+:¥1.1507

50+:¥1.2662

5+:¥1.5358

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BCP69T1G
安森美(onsemi)
SOT-223-4

10000+:¥1.0519

2000+:¥1.1355

1000+:¥1.1953

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100+:¥2.3906

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onsemi(安森美)
SOT223

500+:¥1.45

100+:¥1.566

20+:¥1.868

5+:¥2.32

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 1 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 20 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 100mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值) 10µA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 85 @ 500mA,1V
功率 - 最大值 1.5 W
频率 - 跃迁 60MHz
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA