停产
BCP5616TC
DIODES(美台)
SOT-223
¥0.30784
9,003
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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BCP5616TC
DIODES(美台)
SOT223

4000+:¥0.296

1+:¥0.334

3000

22+
立即发货
BCP5616TC
Diodes(美台)
SOT-223

4000+:¥0.30784

1+:¥0.34736

2993

22+
1-2工作日发货
BCP5616TC
美台(DIODES)
SOT-223

40000+:¥0.3256

8000+:¥0.3515

4000+:¥0.37

1000+:¥0.518

300+:¥0.74

10+:¥1.2044

3000

-
BCP5616TC
Diodes(达尔)
SOT-223

2000+:¥0.4342

200+:¥0.4992

80+:¥0.6567

3000

-
3天-15天
BCP5616TC
Diodes(美台)
--

4000+:¥0.30784

2000+:¥0.34736

200+:¥0.39936

1+:¥0.62088

3000

--
1-3工作日
BCP5616TC
DIODES(美台)
SOT-223-3

80000+:¥0.3219

60000+:¥0.3252

4000+:¥0.3286

2000+:¥0.3707

200+:¥0.4262

1+:¥0.6627

3000

22+
2-4工作日
BCP5616TC
DIODES(美台)
SOT-223

150+:¥0.5626

50+:¥0.643

5+:¥0.8038

10

-
立即发货

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 1 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 80 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 150mA,2V
功率 - 最大值 2 W
频率 - 跃迁 125MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA