BCP56-16
ST(意法半导体)
TO-261-4,TO-261AA
¥0.51272
1,006
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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BCP56-16
ST(意法半导体)
SOT-223

1000+:¥0.51272

1+:¥0.56576

996

24+
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BCP56-16
STMICROELECTRONICS
SOT-223

1000+:¥0.3428

300+:¥0.3736

100+:¥0.4079

30+:¥0.449

10+:¥0.545

1+:¥0.6581

869

21+
1工作日
BCP56-16
STMicroelectronics
SOT-223

50000+:¥0.3609

25000+:¥0.364

5000+:¥0.3702

1000+:¥0.3825

5000

21+
3-5工作日
BCP56-16
ST(意法半导体)
SOT-223

1000+:¥0.5467

50+:¥0.605

1+:¥0.9075

1000

24+
2-4工作日
BCP56-16
STMicroelectronics
SOT-223

5000+:¥1.42

1000+:¥1.5777

11100

-
10-15工作日

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 1 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 80 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 150mA,2V
功率 - 最大值 1.6 W
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA