BCP53-10T1G
onsemi(安森美)
SOT-223
¥1.4237
792
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.5 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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BCP53-10T1G
onsemi(安森美)
SOT-223

150+:¥1.4237

50+:¥1.6049

5+:¥2.0275

790

-
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BCP53-10T1G
ON(安森美)
SOT-223

1000+:¥0.486

1+:¥0.537

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BCP53-10T1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-223-4 / TO-261-4D

1+:¥0.5684

2

1909
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BCP53-10T1G
安森美(onsemi)
SOT-223-3

150+:¥1.5389

50+:¥1.8467

5+:¥2.77

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 1.5 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 80 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 63 @ 150mA,2V
功率 - 最大值 1.5 W
频率 - 跃迁 50MHz
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA