BCM857BS-7-F
DIODES(美台)
SOT-363
¥0.182
210,601
三极管(BJT)
晶体管类型:2 PNP(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,电压 - 集射极击穿(最大值):45V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
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BCM857BS-7-F
DIODES(美台)
SOT363

3000+:¥0.182

1+:¥0.206

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BCM857BS-7-F
Diodes(美台)
SOT-363

3000+:¥0.18928

1+:¥0.21424

46860

2年内
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BCM857BS-7-F
美台(DIODES)
SOT-363-6

30000+:¥0.2002

6000+:¥0.2161

3000+:¥0.2275

800+:¥0.3185

200+:¥0.455

10+:¥0.7053

46867

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DIODES(美台)
SOT-363

9000+:¥0.2125

6000+:¥0.2254

3000+:¥0.2513

300+:¥0.2837

100+:¥0.3269

10+:¥0.4133

11430

-
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BCM857BS-7-F
DIODES(美台)
SOT-363

3000+:¥0.2387

1200+:¥0.2668

600+:¥0.2695

100+:¥0.3106

10+:¥0.3926

2985

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 2 PNP(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 45V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 400mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 15nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 220 @ 2mA,5V
功率 - 最大值 200mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363