BC858CLT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.08
11,417
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):30 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):650mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
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BC858CLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.08

1+:¥0.101

238

22+
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BC858CLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.0832

1+:¥0.10504

235

22+
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BC858CLT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3

1+:¥0.0862

5695

2019
现货最快4H发
BC858CLT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.0889

6000+:¥0.096

3000+:¥0.101

800+:¥0.1414

100+:¥0.202

20+:¥0.3288

2473

-
BC858CLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.14862

1000+:¥0.15138

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100+:¥0.15676

10+:¥0.1587

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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 30 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 650mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 15nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 420 @ 2mA,5V
功率 - 最大值 300 mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3