BC858B-7-F
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.568
10,942
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):30 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):650mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA
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BC858B-7-F
DIODES(美台)
SOT-23

600+:¥0.1682

200+:¥0.1978

20+:¥0.251

100

-
立即发货
BC858B-7-F
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.568

1+:¥0.611

2712

2年内
立即发货
BC858B-7-F
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.59072

1+:¥0.63544

2706

2年内
1-2工作日发货
BC858B-7-F
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.6247

6000+:¥0.6745

3000+:¥0.71

800+:¥0.994

200+:¥1.42

10+:¥2.3111

2712

-
BC858B-7-F
Diodes(达尔)
SOT-23

1500+:¥0.6721

200+:¥0.7733

50+:¥1.0054

2712

-
3天-15天
BC858B-7-F
Diodes(美台)
3.05 mm*1.4 mm*1 mm

3000+:¥0.64064

1500+:¥0.68744

200+:¥0.7904

1+:¥1.02856

3712

--
1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 30 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 650mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 15nA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 220 @ 2mA,5V
功率 - 最大值 300 mW
频率 - 跃迁 200MHz
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3