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BC856DW
CBI(创基)
SOT-363
三极管(BJT)
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：65V，耗散功率(Pd)：200mW
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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BC856DW
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CBI(创基)
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SOT-363
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9000+:￥0.0649 6000+:￥0.0693 3000+:￥0.0781 300+:￥0.0983 100+:￥0.113 10+:￥0.1424 |
2180 |
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BC856DW
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CBI(创基)
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SOT-363
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3000+:￥0.1035 1500+:￥0.108 600+:￥0.1152 200+:￥0.1242 50+:￥0.1332 10+:￥0.144 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | PNP |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 65V |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |