BC856BWT1G
onsemi(安森美)
SC-70(SOT-323)
¥0.11
12,281
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):65 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):650mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
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BC856BWT1G
ON(安森美)
SC-70-3(SOT323)

3000+:¥0.11

1+:¥0.124

2889

25+
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BC856BWT1G
ON(安森美)
SC-70-3

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1+:¥0.12896

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25+
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BC856BWT1G
onsemi(安森美)
SC-70(SOT-323)

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10+:¥0.239

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-
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BC856BWT1G
ON(安森美)
SC-70

1500+:¥0.186

240+:¥0.216

2889

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BC856BWT1G
ON SEMICONDUCTOR
SC-70-3

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380

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 65 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 650mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 15nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 220 @ 2mA,5V
功率 - 最大值 150 mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-70,SOT-323