BC856BLT1G
onsemi(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.0618
249,826
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):65 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):650mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
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BC856BLT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23

1000+:¥0.0618

100+:¥0.0667

1+:¥0.0716

30209

2436
现货最快4H发
BC856BLT1G
ON(安森美)
TO-236AB

3000+:¥0.065

1+:¥0.0819

68847

25+
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BC856BLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.0676

1+:¥0.08518

68844

25+
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BC856BLT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

21000+:¥0.07

9000+:¥0.0755

3000+:¥0.0857

600+:¥0.1063

200+:¥0.1259

20+:¥0.1613

9280

-
立即发货
BC856BLT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.0761

6000+:¥0.0822

3000+:¥0.0865

800+:¥0.1211

100+:¥0.173

20+:¥0.2682

2829

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 65 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 650mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 15nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 220 @ 2mA,5V
功率 - 最大值 300 mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3