BC856BDW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363
¥0.142
228,379
三极管(BJT)
晶体管类型:2 PNP(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,电压 - 集射极击穿(最大值):65V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):650mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
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BC856BDW1T1G
ON(安森美)
SC-88/SC70-6/SOT-363

3000+:¥0.142

1+:¥0.16

57037

25+
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BC856BDW1T1G
ON(安森美)
SOT-363

3000+:¥0.14768

1+:¥0.1664

57031

25+
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BC856BDW1T1G
安森美(onsemi)
SOT-363

30000+:¥0.1562

6000+:¥0.1686

3000+:¥0.1775

800+:¥0.2485

200+:¥0.355

10+:¥0.5778

57037

-
BC856BDW1T1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-363-6

1+:¥0.1568

162

2418
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BC856BDW1T1G
ON(安森美)
SC-88/SC70-6/SOT-363

3000+:¥0.213

1500+:¥0.24

200+:¥0.276

140+:¥0.3718

57057

-
3天-15天

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 2 PNP(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 65V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 650mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 15nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 220 @ 2mA,5V
功率 - 最大值 380mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363