BC856A-7-F
DIODES(美台)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.0847
19,815
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):65 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):650mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA
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BC856A-7-F
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.0847

6000+:¥0.0915

3000+:¥0.0963

800+:¥0.1348

100+:¥0.1926

20+:¥0.3134

3000

-
BC856A-7-F
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.0899

1+:¥0.113

4782

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BC856A-7-F
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.0935

1+:¥0.11752

4421

2年内
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BC856A-7-F
DIODES(美台)
SOT-23

600+:¥0.1121

100+:¥0.1737

10+:¥0.1755

460

-
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BC856A-7-F
DIODES(美台)
SOT-23

600+:¥0.1193

200+:¥0.1434

20+:¥0.1867

2360

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 65 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 650mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 15nA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 125 @ 2mA,5V
功率 - 最大值 300 mW
频率 - 跃迁 200MHz
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3