BC850CLT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.06488
476,130
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):45 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
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BC850CLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

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BC850CLT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.0672

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3000+:¥0.0764

800+:¥0.107

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5127

-
BC850CLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.06968

1+:¥0.08778

7557

23+
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BC850CLT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.075

600+:¥0.087

200+:¥0.102

20+:¥0.129

3500

22+/21+
BC850CLT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3

1+:¥0.077

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BC850CLT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

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3000+:¥0.0927

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7740

-
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BC850CLT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.1005

1500+:¥0.1266

250+:¥0.204

7562

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3天-15天
BC850CLT1G
ON(安森美)
SOT-23

300+:¥0.1042

20+:¥0.1354

228

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BC850CLT1G
ON Semiconductor
SOT-23-3,TO-236

21000+:¥0.065

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3000+:¥0.0758

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6836

2501+
1工作日
BC850CLT1G
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
SOT-23-3,TO-236

9000+:¥0.0682

3000+:¥0.0703

15000

21+
1工作日
BC850CLT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

24000+:¥0.0689

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3000+:¥0.0725

120000

21+
3-5工作日
BC850CLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.06968

1500+:¥0.08777

200+:¥0.14144

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--
1-3工作日
BC850CLT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.0707

1000+:¥0.0725

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100+:¥0.375

295517

-
3-6工作日
BC850CLT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

24000+:¥0.0736

12000+:¥0.0749

6000+:¥0.0762

3000+:¥0.0775

150000

-
3-7工作日
BC850CLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.0737

1500+:¥0.0928

200+:¥0.1496

1+:¥0.4466

10562

23+
2-4工作日
BC850CLT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

9000+:¥0.144

6000+:¥0.144

3000+:¥0.144

198000

23+
4-7工作日
BC850CLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.067

1+:¥0.0844

1

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BC850CLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.06968

1+:¥0.08778

1

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 45 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 15nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 420 @ 2mA,5V
功率 - 最大值 225 mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3