BC850BLT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0863
17,961
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):45 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
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BC850BLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.0897

1+:¥0.113

5691

25+
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BC850BLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.09329

1+:¥0.11752

5688

25+
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BC850BLT1G
ON(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

3000+:¥0.1346

1500+:¥0.1695

200+:¥0.2715

90+:¥0.5962

5691

-
3天-15天
BC850BLT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

600+:¥0.1511

200+:¥0.1758

20+:¥0.2203

820

-
立即发货
BC850BLT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23

1000+:¥0.0863

100+:¥0.0931

1+:¥0.1

55

2311
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 45 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 15nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 200 @ 2mA,5V
功率 - 最大值 225 mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3