BC848CLT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0711
305,023
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):30 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
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BC848CLT1G
onsemi
SOT-23-3

96000+:¥0.0711

48000+:¥0.0747

24000+:¥0.0784

12000+:¥0.0823

6000+:¥0.0905

3000+:¥0.0996

3000

2216
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BC848CLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.0765

1+:¥0.0964

32297

2年内
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BC848CLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.07956

1+:¥0.10026

31794

2年内
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BC848CLT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.0841

6000+:¥0.0908

3000+:¥0.0956

800+:¥0.1338

100+:¥0.1912

20+:¥0.3112

32297

-
BC848CLT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.1052

600+:¥0.1198

200+:¥0.144

20+:¥0.1877

8980

-
立即发货
BC848CLT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3

1+:¥0.108

44318

2210
现货最快4H发
BC848CLT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.1148

1500+:¥0.1446

220+:¥0.231

32297

-
3天-15天
三极管(晶体管) BC848CLT1G SOT-23(BC848CLT1G)
onsemi(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.141

1000+:¥0.184

20+:¥0.212

5+:¥0.354

120040

20+/21+
BC848CLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.07956

1500+:¥0.10025

200+:¥0.16016

1+:¥0.48048

47297

--
1-3工作日
BC848CLT1G
onsemi
SOT-23-3,TO-236

96000+:¥0.0818

48000+:¥0.0859

24000+:¥0.0902

12000+:¥0.0955

6000+:¥0.1068

3000+:¥0.1245

3000

22+
3-5工作日
BC848CLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3,TO-236

60000+:¥0.0829

45000+:¥0.0838

3000+:¥0.0842

1500+:¥0.106

200+:¥0.1694

1+:¥0.5082

49367

25+
2-4工作日
BC848CLT1G
ON Semiconductor
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.083

500+:¥0.0904

150+:¥0.1061

50+:¥0.1278

5+:¥0.1572

965

2422+
1工作日
BC848CLT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

30000+:¥0.0897

15000+:¥0.092

9000+:¥0.0952

3000+:¥0.0975

9000

-
3-5工作日
BC848CLT1G
onsemi(安森美)
SOT-23-3,TO-236

2348+:¥0.1472

2346+:¥0.1485

2345+:¥0.151

2344+:¥0.16

42102

-
6-8工作日
BC848CLT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

1500+:¥0.245

750+:¥0.2523

24750

-
10-15工作日
BC848CLT1G
ON(安森美)
SOT-23

50000+:¥0.0834

30000+:¥0.0856

10000+:¥0.0894

5000+:¥0.0931

500+:¥0.1005

50+:¥0.1117

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 30 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 15nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 420 @ 2mA,5V
功率 - 最大值 300 mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3