BC848BLT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.105
88,877
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):30 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
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BC848BLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.105

1+:¥0.119

19607

25+
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BC848BLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.1092

1+:¥0.12376

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三极管(晶体管) BC848BLT1G SOT-23(BC848BLT1G)
onsemi(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.113

1000+:¥0.147

100+:¥0.175

20+:¥0.283

538

23+/24+
BC848BLT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23

1000+:¥0.1137

100+:¥0.1225

1+:¥0.1314

2788

2405
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BC848BLT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.1155

6000+:¥0.1247

3000+:¥0.1313

800+:¥0.1838

100+:¥0.2626

20+:¥0.4274

21372

-
BC848BLT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.1509

600+:¥0.1671

200+:¥0.194

20+:¥0.2424

5060

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BC848BLT1G
ON(安森美)
SOT-23

600+:¥0.1571

100+:¥0.2256

10+:¥0.2279

300

-
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BC848BLT1G
ON(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

3000+:¥0.1575

1500+:¥0.1785

250+:¥0.2055

19607

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3天-15天
BC848BLT1G
ON Semiconductor
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.107

500+:¥0.1167

150+:¥0.1327

50+:¥0.1569

5+:¥0.1968

19596

2416+
1工作日
BC848BLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.1092

1500+:¥0.12376

200+:¥0.14248

1+:¥0.21944

20287

--
1-3工作日
BC848BLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3,TO-236

60000+:¥0.1133

45000+:¥0.1144

3000+:¥0.1155

1500+:¥0.1309

200+:¥0.1507

1+:¥0.2321

20287

25+
2-4工作日
BC848BLT1G
onsemi(安森美)
SOT-23-3,TO-236

1000+:¥0.1554

2648

-
6-8工作日
BC848BLT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

24000+:¥0.1938

12000+:¥0.1972

6000+:¥0.2006

3000+:¥0.204

36000

-
3-7工作日
BC848BLT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

1275+:¥0.1955

765+:¥0.2124

255+:¥0.24

8158

-
14-18工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 30 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 15nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 200 @ 2mA,5V
功率 - 最大值 300 mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3