BC847CWT1G
onsemi(安森美)
SC-70(SOT-323)
¥0.11752
46,041
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):45 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
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BC847CWT1G
ON(安森美)
SC-70-3(SOT323)

3000+:¥0.113

1+:¥0.129

7774

2年内
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BC847CWT1G
ON(安森美)
SC-70-3

3000+:¥0.11752

1+:¥0.13416

7771

2年内
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BC847CWT1G
安森美(onsemi)
SOT-323

30000+:¥0.1243

6000+:¥0.1342

3000+:¥0.1413

800+:¥0.1978

100+:¥0.2826

20+:¥0.4599

7774

-
BC847CWT1G
ON SEMICONDUCTOR
SC-70-3

100+:¥0.1274

1+:¥0.1333

21182

2225
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BC847CWT1G
onsemi(安森美)
SC-70(SOT-323)

600+:¥0.1465

200+:¥0.1755

20+:¥0.2278

1540

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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 45 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 15nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 420 @ 2mA,5V
功率 - 最大值 150 mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-70,SOT-323