BC847BPDW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363
¥0.1207
37,450
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,电压 - 集射极击穿(最大值):45V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
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BC847BPDW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363

9000+:¥0.1207

6000+:¥0.1289

3000+:¥0.1453

300+:¥0.1658

100+:¥0.1931

10+:¥0.2477

5710

-
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BC847BPDW1T1G
ON(安森美)
SC-88/SC70-6/SOT-363

3000+:¥0.127

1+:¥0.142

6254

2年内
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BC847BPDW1T1G
ON(安森美)
SOT-363

3000+:¥0.13208

1+:¥0.14768

6252

2年内
1-2工作日发货
BC847BPDW1T1G
安森美(onsemi)
SOT-363

30000+:¥0.1397

6000+:¥0.1509

3000+:¥0.1588

800+:¥0.2223

200+:¥0.3176

10+:¥0.5169

6254

-
BC847BPDW1T1G
ON SEMICONDUCTOR
SC-70-6

1000+:¥0.1755

100+:¥0.1833

1+:¥0.1911

6726

2330
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN,PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 45V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 15nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 200 @ 2mA,5V
功率 - 最大值 380mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363