BC846BPDW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363
¥0.12
411,231
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,电压 - 集射极击穿(最大值):65V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
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BC846BPDW1T1G
ON(安森美)
TO-236AB

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BC846BPDW1T1G
ON(安森美)
SOT-363

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BC846BPDW1T1G
安森美(onsemi)
SOT-363

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200+:¥0.3

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BC846BPDW1T1G
ON SEMICONDUCTOR
SC-70-6

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123256

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BC846BPDW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363

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300+:¥0.1883

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10+:¥0.2814

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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN,PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 65V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 15nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 200 @ 2mA,5V
功率 - 最大值 380mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363