BC848C
CBI(创基)
SOT-23
¥0.0379
0
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):30V,耗散功率(Pd):200mW
厂家型号
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BC848C
cbi/香港创基
SOT-23

9000+:¥0.0403

6000+:¥0.0413

3000+:¥0.042

240000

-
3-7工作日
BC848C
CBI(创基)
SOT-23

51000+:¥0.0379

24000+:¥0.0406

6000+:¥0.0456

3000+:¥0.0513

500+:¥0.0609

50+:¥0.0782

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
集电极电流(Ic) 100mA
集射极击穿电压(Vceo) 30V
耗散功率(Pd) 200mW