BC848CWT1G
onsemi(安森美)
SC-70-3
¥0.1833
2,516
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):30 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
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BC848CWT1G
ON SEMICONDUCTOR
SC-70-3

1+:¥0.1833

2516

2334
现货最快4H发
BC848CWT1G
onsemi(安森美)
SOT-323

1400+:¥0.2473

1398+:¥0.2494

1397+:¥0.2537

1396+:¥0.2688

2390

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6-8工作日
BC848CWT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-323

850+:¥0.299

510+:¥0.3304

170+:¥0.36

4951

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14-18工作日
BC848CWT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-323

1500+:¥0.4144

750+:¥0.4265

250+:¥0.44

19500

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10-15工作日
BC848CWT1G
onsemi(安森美)
SC-70-3

72000+:¥0.1263

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BC848CWT1G
安森美(onsemi)
SC-70-3

30000+:¥0.2201

6000+:¥0.2376

3000+:¥0.2501

800+:¥0.3501

100+:¥0.5002

20+:¥0.8141

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 30 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 15nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 420 @ 2mA,5V
功率 - 最大值 150 mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-70,SOT-323