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BCP5616TQTA
DIODES(美台)
SOT-223-3
三极管(BJT)
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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BCP5616TQTA
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DIODES(美台)
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SOT-223-3
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20000+:￥0.5612 |
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 1 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 80 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 500mV @ 50mA，500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，2V |
| 功率 - 最大值 | 2.5 W |
| 频率 - 跃迁 | 150MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |