BCV27
CBI(创基)
SOT-23
¥0.1123
1,340
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):30V,耗散功率(Pd):200mW
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BCV27
CBI(创基)
SOT-23

600+:¥0.1123

200+:¥0.1333

20+:¥0.1711

1340

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BCV27
cbi/香港创基
SOT-23

9000+:¥0.092

6000+:¥0.0944

3000+:¥0.096

240000

-
3-7工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
集电极电流(Ic) 500mA
集射极击穿电压(Vceo) 30V
耗散功率(Pd) 200mW