咨询/建议
CY14B101Q2-LHXIT
Infineon(英飞凌)
WDFN-8-EP
静态随机存取存储器(SRAM)
存储器类型：非易失，存储器格式：NVSRAM，技术：NVSRAM（非易失性 SRAM），存储容量：1Mb，存储器组织：128K x 8
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
CY14B101Q2-LHXIT
|
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
|
WDFN-8-EP
|
1000+:￥2.37 500+:￥2.41 200+:￥2.5 1+:￥6.46 |
0 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
CY14B101Q2-LHXIT
|
SPANSION(飞索)
|
DFN-8(5x6)
|
1000+:￥42.4 500+:￥43.18 200+:￥44.75 1+:￥115.6 |
0 |
19+/20+
|
在芯间
|
|
|
CY14B101Q2-LHXIT
|
赛普拉斯(CYPRESS)
|
DFN-8
|
1000+:￥129.1429 100+:￥154.9715 10+:￥180.8001 1+:￥237.3001 |
0 |
-
|
油柑网
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 存储器类型 | 非易失 |
| 存储器格式 | NVSRAM |
| 技术 | NVSRAM（非易失性 SRAM） |
| 存储容量 | 1Mb |
| 存储器组织 | 128K x 8 |
| 存储器接口 | SPI |
| 时钟频率 | 40 MHz |
| 电压 - 供电 | 2.7V ~ 3.6V |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |