DTC114EUA
华轩阳
SOT-323
¥0.055
12,000
数字晶体管
集射极击穿电压(Vceo):50V,集电极电流(Ic):50mA,耗散功率(Pd):200mW,直流电流增益(hFE):30@5mA,5V
厂家型号
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渠道
DTC114EUA
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOT-323

51000+:¥0.055

24000+:¥0.0593

6000+:¥0.0671

3000+:¥0.0761

500+:¥0.0921

50+:¥0.1191

12000

-
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DTC114EUA
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
SOT-323

9000+:¥0.0605

6000+:¥0.0621

3000+:¥0.0631

720000

24+
5-7工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
集射极击穿电压(Vceo) 50V
集电极电流(Ic) 50mA
耗散功率(Pd) 200mW
直流电流增益(hFE) 30@5mA,5V