EMB11T2R
ROHM(罗姆)
SOT-563(SOT-666)
¥0.6732
17,765
数字晶体管
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,电阻器 - 基极 (R1):10 千欧,电阻器 - 发射极 (R2):10 千欧
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EMB11T2R
ROHM(罗姆)
SOT-563

8000+:¥0.6732

4000+:¥0.9036

1000+:¥1.3327

100+:¥2.1021

1+:¥3.7074

100

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3天-5天
EMB11T2R
ROHM(罗姆)
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5000+:¥0.7956

4000+:¥0.7956

1000+:¥0.8652

500+:¥0.9746

300+:¥1.0637

100+:¥1.7153

90+:¥1.8399

8000

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3周-4周
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5000+:¥0.7956

4000+:¥0.7956

1000+:¥0.8652

500+:¥0.9746

300+:¥1.0637

100+:¥1.7153

90+:¥1.8399

8000

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3周-4周
EMB11T2R
ROHM(罗姆)
SOT-563

1000+:¥0.8652

500+:¥0.9746

300+:¥1.0637

100+:¥1.7153

90+:¥1.8399

1665

-
3周-4周
EMB11T2R
ROHM(罗姆)
SOT-563(SOT-666)

1000+:¥0.253

500+:¥0.2577

200+:¥0.2671

1+:¥0.69

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电阻器 - 基极 (R1) 10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2) 10 千欧
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 20 @ 5mA,5V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
频率 - 跃迁 250MHz
功率 - 最大值 150mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563,SOT-666