HBCP5510115
华轩阳
SOT-223
¥0.3648
20
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):1A,集射极击穿电压(Vceo):60V,耗散功率(Pd):1.5W
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HBCP5510115
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOT-223

150+:¥0.3648

50+:¥0.3704

5+:¥0.3787

20

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HBCP5510115
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子

3000+:¥0.2759

2000+:¥0.2831

1000+:¥0.2879

720000

24+
5-7工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
集电极电流(Ic) 1A
集射极击穿电压(Vceo) 60V
耗散功率(Pd) 1.5W