HBCX56TX
华轩阳
SOT-89-3
¥0.76768
10
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):1A,集射极击穿电压(Vceo):80V,耗散功率(Pd):500mW
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HBCX56TX
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子

3000+:¥0.7102

2000+:¥0.7288

1000+:¥0.7411

720000

24+
5-7工作日
HBCX56TX
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOT-89-3

500+:¥0.7677

150+:¥0.7796

50+:¥0.7914

5+:¥0.8092

10

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
集电极电流(Ic) 1A
集射极击穿电压(Vceo) 80V
耗散功率(Pd) 500mW