HFMMT591TA
华轩阳
SOT-23
¥0.31384
30
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):1A,集射极击穿电压(Vceo):60V,耗散功率(Pd):250mW
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HFMMT591TA
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOT-23

500+:¥0.3138

150+:¥0.3187

50+:¥0.3236

5+:¥0.3308

30

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HFMMT591TA
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子

9000+:¥0.2904

6000+:¥0.298

3000+:¥0.303

720000

24+
5-7工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
集电极电流(Ic) 1A
集射极击穿电压(Vceo) 60V
耗散功率(Pd) 250mW