HMMBT3904WT1G
华轩阳
SOT-323
¥0.05013
2,000
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):200mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):150mW
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HMMBT3904WT1G
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOT-323

51000+:¥0.0501

24000+:¥0.0536

6000+:¥0.0602

3000+:¥0.0679

500+:¥0.0805

50+:¥0.1034

2000

-
立即发货
HMMBT3904WT1G
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子

9000+:¥0.0486

6000+:¥0.0499

3000+:¥0.0508

720000

24+
5-7工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
集电极电流(Ic) 200mA
集射极击穿电压(Vceo) 40V
耗散功率(Pd) 150mW