HMMBTA06LT1G
华轩阳
SOT-23
¥0.062031
8,760
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):80V,耗散功率(Pd):300mW
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HMMBTA06LT1G
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOT-23

21000+:¥0.062

9000+:¥0.0666

3000+:¥0.0751

600+:¥0.0847

200+:¥0.1009

20+:¥0.13

8760

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HMMBTA06LT1G
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子

9000+:¥0.062

6000+:¥0.0636

3000+:¥0.0647

720000

24+
5-7工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
集电极电流(Ic) 500mA
集射极击穿电压(Vceo) 80V
耗散功率(Pd) 300mW