HMMDT39047F
华轩阳
SOT-363
¥0.102951
1,520
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN+NPN,集电极电流(Ic):200mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):200mW
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HMMDT39047F
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOT-363

21000+:¥0.103

9000+:¥0.1099

3000+:¥0.1228

600+:¥0.1377

200+:¥0.1626

20+:¥0.2072

1520

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HMMDT39047F
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子

9000+:¥0.0952

6000+:¥0.0977

3000+:¥0.0994

720000

24+
5-7工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN+NPN
集电极电流(Ic) 200mA
集射极击穿电压(Vceo) 40V
耗散功率(Pd) 200mW