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HMMDT39467F
华轩阳
SOT-363
三极管(BJT)
晶体管类型：NPN+PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：200mW
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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HMMDT39467F
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HXY MOSFET(华轩阳电子)
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SOT-363
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1000+:￥0.1101 300+:￥0.1117 100+:￥0.1134 10+:￥0.116 |
90 |
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立即发货
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立创商城
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HMMDT39467F
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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
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9000+:￥0.1018 6000+:￥0.1044 3000+:￥0.1062 |
720000 |
24+
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 晶体管类型 | NPN+PNP |
| 集电极电流(Ic) | 200mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |