HMUN5211T1G
华轩阳
SOT-523
¥0.08577
100
数字晶体管
数量:1个NPN-预偏置,集电极电流(Ic):100mA,耗散功率(Pd):150mW,直流电流增益(hFE):30@5mA,5V
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HMUN5211T1G
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOT-523

3000+:¥0.0858

600+:¥0.087

200+:¥0.0884

20+:¥0.0904

100

-
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HMUN5211T1G
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子

9000+:¥0.0792

6000+:¥0.0813

3000+:¥0.0827

720000

24+
5-7工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个NPN-预偏置
集电极电流(Ic) 100mA
耗散功率(Pd) 150mW
直流电流增益(hFE) 30@5mA,5V