HSBC846BLT3G
华轩阳
SOT-23
¥0.12804
40
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):65V,耗散功率(Pd):200mW
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HSBC846BLT3G
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOT-23

1000+:¥0.128

300+:¥0.13

100+:¥0.132

10+:¥0.1349

40

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HSBC846BLT3G
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子

9000+:¥0.1185

6000+:¥0.1215

3000+:¥0.1236

720000

24+
5-7工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
集电极电流(Ic) 100mA
集射极击穿电压(Vceo) 65V
耗散功率(Pd) 200mW