咨询/建议
IS43DR86400E-3DBLI
ISSI(Integrated Silicon Solution Inc)
TWBGA-60(8x10.5)
DDRSDRAM
存储器类型：易失，存储器格式：DRAM，技术：SDRAM - DDR2，存储容量：512Mb，存储器组织：64M x 8
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
IS43DR86400E-3DBLI
|
ISSI(美国芯成)
|
TWBGA-60(8x10.5)
|
1000+:￥16.03 500+:￥16.33 200+:￥16.92 1+:￥43.72 |
0 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
IS43DR86400E-3DBLI
|
ISSI(美国芯成)
|
TWBGA-60(8x10.5)
|
1000+:￥16.03 500+:￥16.33 200+:￥16.92 1+:￥43.72 |
0 |
19+/20+
|
在芯间
|
|
|
IS43DR86400E-3DBLI
|
ISSI
|
60-TWBGA (8x10.5)
|
1+:￥44.153 |
10 |
-
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器格式 | DRAM |
| 技术 | SDRAM - DDR2 |
| 存储容量 | 512Mb |
| 存储器组织 | 64M x 8 |
| 存储器接口 | 并联 |
| 时钟频率 | 333 MHz |
| 写周期时间 - 字，页 | 15ns |
| 访问时间 | 450 ps |
| 电压 - 供电 | 1.7V ~ 1.9V |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 60-TFBGA |