IS43LR32160C-6BLI
ISSI(Integrated Silicon Solution Inc)
TFBGA-90(8x13)
¥29.63
3
DDRSDRAM
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:SDRAM - 移动 LPDDR,存储容量:512Mb,存储器组织:16M x 32
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IS43LR32160C-6BLI
ISSI(美国芯成)
TFBGA-90(8x13)

1000+:¥29.63

500+:¥30.17

200+:¥31.27

1+:¥80.79

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IS43LR32160C-6BLI
ISSI(美国芯成)
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200+:¥31.27

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IS43LR32160C-6BLI
ISSI
90-TFBGA (8x13)

1+:¥83.1109

3

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM - 移动 LPDDR
存储容量 512Mb
存储器组织 16M x 32
存储器接口 并联
时钟频率 166 MHz
写周期时间 - 字,页 12ns
访问时间 5.5 ns
电压 - 供电 1.7V ~ 1.95V
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 90-TFBGA