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IS66WVC4M16EALL-7010BLI
ISSI(Integrated Silicon Solution Inc)
VFBGA-54(6x8)
PSRAM(伪静态)
存储器类型：易失，存储器格式：PSRAM，技术：PSRAM（伪 SRAM），存储容量：64Mbit，存储器组织：4M x 16
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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IS66WVC4M16EALL-7010BLI
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ISSI(美国芯成)
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VFBGA-54(6x8)
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960+:￥17.55 480+:￥18.06 100+:￥19.18 30+:￥21.61 10+:￥24.01 1+:￥28.06 |
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立即发货
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立创商城
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IS66WVC4M16EALL-7010BLI
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ISSI(美国芯成)
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VFBGA-54(6x8)
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1000+:￥19.18 500+:￥21.61 200+:￥24.01 1+:￥28.06 |
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19+/20+
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在芯间
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IS66WVC4M16EALL-7010BLI
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ISSI
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54-VFBGA (6x8)
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1+:￥47.04 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器格式 | PSRAM |
| 技术 | PSRAM（伪 SRAM） |
| 存储容量 | 64Mbit |
| 存储器组织 | 4M x 16 |
| 存储器接口 | 并联 |
| 写周期时间 - 字，页 | 70ns |
| 访问时间 | 70 ns |
| 电压 - 供电 | 1.7V ~ 1.95V |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TC） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 54-VFBGA |