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MMBT5550
onsemi(安森美)
三极管(BJT)
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：140 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 600 mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 140 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 250mV @ 5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 60 @ 10mA，5V |
| 功率 - 最大值 | 350 mW |
| 频率 - 跃迁 | 50MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |