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MMDT3906
华轩阳
SOT-363
三极管(BJT)
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：200mW
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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MMDT3906
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HXY MOSFET(华轩阳电子)
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SOT-363
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21000+:￥0.057 9000+:￥0.061 3000+:￥0.0686 600+:￥0.0817 200+:￥0.0961 20+:￥0.1221 |
1940 |
-
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立即发货
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立创商城
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MMDT3906
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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
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SOT-363
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9000+:￥0.0553 6000+:￥0.0568 3000+:￥0.0577 |
720000 |
24+
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5-7工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | PNP |
| 集电极电流(Ic) | 200mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |