MMDT3946
BORN(伯恩半导体)
SOT-363
¥0.073
9,132
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN+PNP,集电极电流(Ic):200mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):200mW
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MMDT3946
BORN(伯恩半导体)
SOT363

3000+:¥0.073

1+:¥0.092

1566

24+
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MMDT3946
BORN(伯恩半导体)
SOT-363

3000+:¥0.0897

600+:¥0.101

200+:¥0.1199

20+:¥0.154

6000

-
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MMDT3946
BORN(伯恩)
SOT363

1500+:¥0.138

230+:¥0.2205

1566

-
3天-15天
MMDT3946
BORN/深圳伯恩半导体

9000+:¥0.0748

6000+:¥0.0767

3000+:¥0.078

150000

25+
5-10工作日
MMDT3946
BORN(伯恩半导体)

3000+:¥0.0818

1500+:¥0.103

200+:¥0.1646

1+:¥0.495

1566

24+
2-5工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN+PNP
集电极电流(Ic) 200mA
集射极击穿电压(Vceo) 40V
耗散功率(Pd) 200mW